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TPS1100PWG4中文资料

TPS1100PWG4图片

TPS1100PWG4外观图

  • 大小:350KB
  • 厂家:Texas Instruments
  • 描述: Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET 8-TSSOP
  • 标准包装:150
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):15V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:504mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-TSSOP
  • 包装:管件

TPS1100PWG4供应商

更新时间:2023-01-22 12:41:24
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